IPU103N08N3 G
Número do Produto do Fabricante:

IPU103N08N3 G

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IPU103N08N3 G-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 50A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO251-3

Inventário:

12801798
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IPU103N08N3 G Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.3mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 46µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2410 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO251-3
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
IPU103N

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
IPU103N08N3G
SP000521640
IPU103N08N3 G-DG
Pacote padrão
1,500

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
IRFU3607PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
743
NÚMERO DA PEÇA
IRFU3607PBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.63
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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